| Ενότητα ισχύος | 635 W |
| Τύπος κυττάρου | Silicon Heterojunction Technology |
| Χρώμα Πλαίσιο | Full Black |
| Τύπος μονάδας | Bifacial |
| Ενότητα ισχύος | 635 W |
| Τύπος κυττάρου | Silicon Heterojunction Technology |
| Χρώμα Πλαίσιο | Full Black |
| Τύπος μονάδας | Bifacial |
| Όνομα σειράς | AE TME-120BDS Series 615W-635W |
| Σειρά Εύρος ισχύος (Wp) | 615-635 |
| Εγγύηση Έτη | 15 |
| Δευτερεύον (έτη, % ισχύος εξόδου) | 30-88 |
| Τάση στη μέγιστη ισχύ, Vmpp (V) Στο STC | 38.19 |
| Ρεύμα στη μέγιστη ισχύ, Impp (A) Σε STC | 16.63 |
| Τάση ανοικτού κυκλώματος, Voc (V) Σε STC | 45.48 |
| Ρεύμα βραχυκύκλωσης, Isc (A) Σε STC | 17.43 |
| Απόδοση πάνελ (%) Σε STC | 22.46 |
| Ανοχή ισχύος, - (%) Σε STC | 0~+5 |
| Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας (°C) | -40 to +85 |
| Συντελεστής θερμοκρασίας Pmax (%/°C) | -0.26 |
| Συντελεστής θερμοκρασίας Voc (%/°C) | -0.24 |
| Συντελεστής θερμοκρασίας του Isc (%/°C) | 0.04 |
| Μέγιστη τάση συστήματος (V) | 1500 |
| Σειρά Εκτίμηση ασφάλειας (A) | 30 |
| Μέγεθος κυψέλης (mm) | 210 |
| Αριθμός κινητού τηλεφώνου | 120 |
| Τύπος πλαισίου | anodized Aluminium alloy |
| Κλάση προστασίας κουτιού σύνδεσης | IP 68 |
| Τύπος συνδέσμου | MC4 |
| Διατομή καλωδίου (mm²) | 4 mm |
| Μήκος καλωδίου (mm) | 200mm |
| Ύψος (mm) | 35 |
| Πλάτος (mm) | 2171 |
| Βάθος (mm) | 1302 |
| Βάρος (kg) | 35.3 |

Επικοινωνία