Runergy HY-DH120N8 480 475-500 Black Frame
| Zasilanie modułu | 480 W |
| Typ komórki | N-Type |
| Kolor ramy | Black Frame |
| Typ modułu | Bifacial |
| Zasilanie modułu | 480 W |
| Typ komórki | N-Type |
| Kolor ramy | Black Frame |
| Typ modułu | Bifacial |
Szczegóły produktu
| Nazwa serii | HY-DH120N8 475-500 |
| Zakres mocy serii (Wp) | 475-500 |
| Nazwa modelu | HY-DH120N8 480 |
| Lata gwarancji | 12 |
| Uzysk (Lata, % mocy wyjściowej) | 25, 89.4 |
| Wtórny (Lata, % mocy wyjściowej) | 30, 87.4 |
| Napięcie przy maksymalnej mocy, Vmpp (V) W STC | 36.51 |
| Prąd przy maksymalnej mocy, Impp (A) W STC | 13.15 |
| Napięcie obwodu otwartego, Voc (V) przy STC | 43.11 |
| Prąd zwarciowy, Isc (A) przy STC | 13.77 |
| Wydajność panelu (%) przy STC | 22.2 |
| Współczynnik temperaturowy Pmax (%/°C) | -0.29 |
| Współczynnik temperaturowy Voc (%/°C) | -0.25 |
| Współczynnik temperaturowy Isc (%/°C) | 0.045 |
| Maksymalne napięcie systemu (V) | 1500 |
| Seria Wartość znamionowa bezpiecznika (A) | 30 |
| Numer komórki | 120 |
| Rodzaj szkła | AR coated heat strengthened glass |
| Grubość szkła (mm) | Front:2 Back:2 |
| Typ ramy | Anodized Aluminium Alloy |
| Diody skrzynki przyłączeniowej | 3 |
| Klasa ochrony skrzynki przyłączeniowej | IP68 |
| Typ złącza | EVO2 or similar |
| Przekrój kabla (mm²) | 4 |
| Długość kabla (mm) | 1200 |
Opis
High Conversion Efficiency Module efficiency up to 23.1% based on N-Type wafer and advanced N-Type cell technology Excellent Energy Yield More power output in field operation due to better thermal behaviors, weak-light performance and bifaciality Outstanding Anti-degradation Unsusceptible to LID, LETID and less annual degradation due to special charateristics of N-Type Quality Guarantee High module quality ensures long-term reliability
Pomiary
| Wysokość (mm) | 1908 |
| Szerokość (mm) | 1134 |
| Głębokość (mm) | 30 |
| Waga (kg) | 26.8 |
Dostępność
864 - 11340 szt.
