| Zasilanie modułu | 635 W |
| Typ komórki | Silicon Heterojunction Technology |
| Kolor ramy | Full Black |
| Typ modułu | Bifacial |
| Zasilanie modułu | 635 W |
| Typ komórki | Silicon Heterojunction Technology |
| Kolor ramy | Full Black |
| Typ modułu | Bifacial |
| Nazwa serii | AE TME-120BDS Series 615W-635W |
| Zakres mocy serii (Wp) | 615-635 |
| Lata gwarancji | 15 |
| Wtórny (Lata, % mocy wyjściowej) | 30-88 |
| Napięcie przy maksymalnej mocy, Vmpp (V) W STC | 38.19 |
| Prąd przy maksymalnej mocy, Impp (A) W STC | 16.63 |
| Napięcie obwodu otwartego, Voc (V) przy STC | 45.48 |
| Prąd zwarciowy, Isc (A) przy STC | 17.43 |
| Wydajność panelu (%) przy STC | 22.46 |
| Tolerancja mocy, - (%) Przy STC | 0~+5 |
| Zakres temperatur pracy (°C) | -40 to +85 |
| Współczynnik temperaturowy Pmax (%/°C) | -0.26 |
| Współczynnik temperaturowy Voc (%/°C) | -0.24 |
| Współczynnik temperaturowy Isc (%/°C) | 0.04 |
| Maksymalne napięcie systemu (V) | 1500 |
| Seria Wartość znamionowa bezpiecznika (A) | 30 |
| Rozmiar ogniwa (mm) | 210 |
| Numer komórki | 120 |
| Typ ramy | anodized Aluminium alloy |
| Klasa ochrony skrzynki przyłączeniowej | IP 68 |
| Typ złącza | MC4 |
| Przekrój kabla (mm²) | 4 mm |
| Długość kabla (mm) | 200mm |
| Wysokość (mm) | 35 |
| Szerokość (mm) | 2171 |
| Głębokość (mm) | 1302 |
| Waga (kg) | 35.3 |

Kontakt