Trina TSM-DE18M(II) 490-515 500W 1500V Black Frame
| Modul Leistung | 500 W |
| Zellentyp | P-type |
| Rahmenfarbe | Black Frame |
| Modul-Typ | Monofacial |
| Modul Leistung | 500 W |
| Zellentyp | P-type |
| Rahmenfarbe | Black Frame |
| Modul-Typ | Monofacial |
Einzelheiten zum Produkt
| Name der Serie | TSM-DE18M(II) |
| Serie Leistungsbereich (Wp) | 490-515 |
| Name des Modells | TSM-DE18M(II) 500 |
| Garantie Jahre | 12 |
| Primär (Jahre, % Ausgangsleistung) | 25, 84.8 |
| Spannung bei maximaler Leistung, Vmpp (V) Bei STC | 42.8 |
| Strom bei maximaler Leistung, Impp (A) Bei STC | 11.69 |
| Leerlaufspannung, Voc (V) bei STC | 51.7 |
| Kurzschlussstrom, Isc (A) bei STC | 12.28 |
| Wirkungsgrad der Platte (%) bei STC | 20.9 |
| Leistungstoleranz, - (%) Bei STC | 1 |
| Maximale Leistung, Pmax (W) bei NOCT | 377 |
| Spannung bei maximaler Leistung, Vmpp (V) Bei NOCT | 40.4 |
| Strom bei maximaler Leistung, Impp (A) Bei NOCT | 9.33 |
| Leerlaufspannung, Voc (V) bei NOCT | 48.6 |
| Kurzschlussstrom, Isc (A) bei NOCT | 9.9 |
| Temperatur (°C) Bei NOCT | 43±2 |
| Betriebstemperaturbereich (°C) | -40~85 |
| Temperaturkoeffizient von Pmax (%/°C) | -0.34 |
| Temperaturkoeffizient von Voc (%/°C) | -0.25 |
| Temperaturkoeffizient von Isc (%/°C) | 0.04 |
| Maximale Systemspannung (V) | 1500 |
| Serie Sicherungswert (A) | 20 |
| Handynummer | 150 |
| Glas Typ | Anti-reflection Coating, Tempered |
| Glasdicke (mm) | 3.2 |
| Anschlussdose Schutzklasse | IP68 |
| Stecker Typ | MC4 |
| Kabelquerschnitt (mm²) | 4 |
| Kabellänge (mm) | 280 |
Beschreibung
• Lower LCOE (Levelized Cost Of Energy), reduced BOS (Balance Of System) cost, shorter payback time • Lower guaranteed rst year and annual degradation • Minimized micro-cracks with innovative non-destructive cutting technology • Ensured PID resistance through cell process and module material control • Resistant to harsh environments such as salt, ammonia, sand, high temperature and high humidity areas • Mechanical performance up to 5400 Pa positive load and 2400 Pa negative load• Excellent IAM (Incident Angle Modi er) and low irradiation performance, validated by 3rd party certi cations • The unique design provides optimized energy production under inter-row shading conditions • Designed for compatibility with existing mainstream system components • Higher return on Investment• Large area cells based on 210mm silicon wafers and 1/3-cut cell technology • Up to 21.4% module eciency with high density interconnect technology • Multi-busbar technology for better light trapping eect, lower series resistance and improved current collection
Messungen
| Höhe (mm) | 2187 |
| Breite (mm) | 1102 |
| Tiefe (mm) | 35 |
| Gewicht (kg) | 26.3 |
